Среди главных достижений нового 2-нм техпроцесса Samsung выделяется архитектура транзисторов Gate-All-Around (GAA), обеспечивающая уменьшение утечек тока, ускорение работы на 10-15% и снижение энергопотребления на 25-30% по сравнению с 3-нм процессом. Это особенно актуально для ИИ-серверов и высокопроизводительных мобильных устройств. Samsung применяет опыт GAA, разрабатывая новые MBCFET-транзисторы, которые позволяют настраивать производительность и энергопотребление. К 2025 году компания планирует достичь стабильного выхода 60% для процессоров Exynos 2600.
Переход к жидкостному охлаждению на чипах становится необходимым для поддержания производительности, особенно в контексте высоких плотностей мощности. Новый техпроцесс также откроет возможности для интеграции памяти HBM4 с пропускной способностью свыше 15 ТБ/с, что упростит работу с крупными ИИ-моделями.
На рынке 2-нм технологий развернулась борьба между крупными игроками: Apple занимает почти половину мощностей TSMC, а Samsung сотрудничает с AMD и Google. Цены на чипы также имеют значение: TSMC оценивает свои 2-нм пластины в $30 000, тогда как Samsung предлагает их за $20 000. Ожидается, что первые коммерческие 2-нм ускорители ИИ появятся к середине 2026 года.