Россия разрабатывает собственные установки для ультрафиолетовой литографии

Институт физики микроструктур Российской академии наук разработал дорожную карту, направленную на создание отечественных установок для экстремальной ультрафиолетовой литографии. Ожидается, что самые современные машины, способные производить процессоры и однокристальные системы с техпроцессом 10 нм и меньше, появятся в течение следующего десятилетия. В отличие от литографов компании ASML, российские устройства будут использовать альтернативные технологии, включая гибридные твердотельные лазеры и источники света на основе ксеноновой плазмы, что позволит значительно снизить загрязнение фотошаблонов и, как следствие, затраты на обслуживание. Дорожная карта включает три этапа: первый — создание литографа для 40 нм (2026–2028), второй — разработка сканера для 14 нм (2029–2032), третий — система для чипов с разрешением менее 10 нм (2033–2036). Каждое новое поколение будет отличаться улучшенной оптикой и повышенной эффективностью сканирования, при этом стоимость будет ниже, чем у аналогичных систем ASML.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями: