Инвестиции Samsung и SK hynix в Китай под давлением США

Во время президентства Байдена американские власти пытались ограничить возможности южнокорейских производителей памяти в модернизации и развитии их заводов в Китае. Однако компании Samsung и SK hynix смогли сохранить доступ к американскому оборудованию и активно модернизируют свои мощности. Как сообщает Business Korea, в прошлом году Samsung Electronics вложила в модернизацию своего завода в Сиане $344 млн, что на 67,5% больше по сравнению с предыдущим годом. Этот завод производит до 40% мировых микросхем памяти NAND. В то же время SK hynix инвестировала более $663 млн в свои китайские предприятия, включая заводы в Уси и Даляне. Это значимые инвестиции, особенно на фоне дефицита памяти в условиях роста спроса на решения в области ИИ. В 2024 году Samsung планирует начать производство более прогрессивной 236-слойной памяти 3D NAND, в то время как SK hynix перейдет на производство микросхем DDR5.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями: