Китай разработал настольный источник ультрафиолетового излучения для литографии

Исследователи из Китая представили настольный источник экстремального ультрафиолетового (EUV) излучения для литографического процесса, что стало значительным достижением на пути к национальной самодостаточности в производстве микрочипов. Сообщается, что новая установка способна создавать микросхемы с топологическим узлом 14 нанометров. Хотя этот источник не является заменой для машин ASML, его можно использовать для небольших партий производства чипов. Благодаря использованию фемтосекундного лазера на газе аргон, система не требует массивных зеркал, что упрощает конструкцию. Несмотря на низкое потребление энергии, новое устройство демонстрирует высокую яркость на единицу площади, что делает его полезным для проверки фотошаблонов и исследований. Размер установки в несколько раз меньше традиционных машин ASML, что в сочетании с низкой стоимостью делает её важной для Китая в условиях ограниченного доступа к современному оборудованию.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями: