Американский производитель полупроводников Micron планирует дополнительно инвестировать 200 миллиардов долларов для значительного увеличения мощностей по производству DRAM. Как сообщают источники издания The Wall Street Journal, такая мера вызвана продолжающимся дефицитом на мировом рынке памяти, который ожидается до конца 2025 года. На текущий момент Micron удовлетворяет лишь около 66% потребностей крупных заказчиков, что способствует росту цен на оперативную память.
Компания намерена направить значительную часть средств на развитие своего кампуса в штате Айдахо, удвоив площадь и построив две новые фабрики за приблизительно 50 миллиардов долларов. Первая из них должна начать операционную деятельность в середине 2027 года.
В штате Нью-Йорк Micron планирует вложить около 100 миллиардов долларов на протяжении 20 лет, с началом строительства в январе 2026 года. Новый комплекс станет не только производственным, но и исследовательским центром, что поможет укрепить позиции США в полупроводниковой отрасли.
Ключевым фактором роста спроса на память является искусственный интеллект, что требует высоких стандартов пропускной способности и масштабируемости. Однако быстрых изменений цен на DRAM не стоит ожидать, так как строительство новых фабрик требует времени.