Исследователи из Индийского научного института (IISc) сделали важное открытие в области силовых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN). Это открытие направлено на увеличение безопасности и простоты использования таких транзисторов в сложной электронике. Нитрид галлия способен значительно сократить энергопотери и уменьшить размеры силовых модулей, однако его применение замедляется из-за ограничений затвора, который контролирует ток. Традиционные транзисторы с GaN начинают проводить ток при пороговом напряжении около 1,5–2 В, тогда как выше 5–6 В наступает ненужное включение. Команда исследователей ESE изучила механизм работы затворов и представила новый дизайн, который улучшает управление током, снижая утечки в 10 000 раз и поднимая пороговое напряжение до ~15,5 В. Эти разработки могут значительно упростить внедрение нитрида галлия в различные электроника, включая электромобили и возобновляемые источники энергии.
0
Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Вам также может быть интересно
Покупка авиабилета или бронирование отеля сегодня занимают несколько минут. Но именно скорость оформления иногда
Выбор сводится к трём параметрам: маршрут, тип судна и время отправления. Для первого раза
Типичный месячный доход девушки в эскорте при регулярной занятости — от 600 000 до
Стоимость услуги зависит от четырёх основных факторов: формата встречи (аутколл или инколл), продолжительности, времени
Ведение кадрового учёта и расчёт заработной платы — одна из самых трудоёмких задач для
Офисное пространство сегодня перестало быть статичной конструкцией. Оно живет, меняется, реагирует на задачи бизнеса.