Компания Intel представила подробности о своих достижениях в производстве двумерных транзисторов 2DFET, толщина которых составляет всего несколько атомов. Научные разработки в этой области ведутся уже более десяти лет, однако до сих пор не удавалось наладить массовое производство, использующее достаточно крупные пластины. На недавней выставке IDM Intel Foundry в сотрудничестве с imec продемонстрировала интеграцию ключевых технологий для 2D-транзисторов на 300-миллиметровых пластинах.
Текущие технологии, такие как Intel 18A, основаны на методах gate-all-around, а CFET считаются следующим шагом в развитии. Однако, по мнению Intel, кремниевые каналы скоро могут достигнуть своих физических пределов, и решение этой проблемы лежит в области двумерных материалов.
В ходе демонстрации были использованы дихалькогениды переходных металлов, такие как WS₂ и MoS₂. Ключевым достижением Intel и imec стало создание схемы интеграции контактов, совместимой с массовым производством, что открывает новые горизонты для 2D-транзисторов, несмотря на долгий путь до их внедрения в реальное производство.